GaN Leistungsbauteile für das X-Band

Auf der IMS 2016 Messe in San Francisco hat SUMITOMO zwei neue GaN Bauteile für X-Band Radaranwendungen vorgestellt. GaN Leistungstransistoren sind durch die hohen Leistungen die realisiert werden können und die großen Bandbreiten optimal, um die Leistungsfähigkeit von Radarsystemen zu verbessern.

Der F514 ist ein 300 Watt IMFET und ergänzt hervorragend die bereits existierenden 50, 100 und 200 Watt IMFET GaN Transistoren von SUMITOMO.

Kenndaten:

  • Hohe Ausgangsleistung, Psat = 55.5 dBm
  • Große Verstärkung, Gp = 10 dB
  • Hohe Effizienz: 42%
  • Frequenzbereich: 9.2-10.1 GHz
  • 50 Ohm, Ein- und Ausgang angepasst
  • Hermetisch dichtes Gehäuse

Der F501 ist ein intern angepasstes, zweistufiges 30 Watt GaN HEMT Hybridmodul im SMD Gehäuse.


Kenndaten:

  • Hohe Ausgangsleistung, Psat = 45.0 dBm
  • Große Verstärkung: 25.5 dB
  • Frequenzbereich: 8.5-9.8 GHz
  • 50 Ohm, Ein- und Ausgang angepasst
  • Hermetisch dichtes SMT Gehäuse

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