Neue GaN Transistoren von SUMITOMO

  • ISM – 2.4 GHz, 130W CW

Der F451 ist ein 130W GaN Transistor für CW Anwendungen im 2.4 GHz Frequenzbereich. Er ist in einem sehr kleinen, flanschlosen Gehäuse untergebracht, Größe nur 11.8×6.3mm.

 Der Transistor hat eine sehr hohe Efficiency von >62% und ist ein- und ausgangsseitig vorangepasst.

  • DC-3 GHz, 2-stufig 10/20 Watt

Der F465 ist ein zweistufiger, vorangepasster GaN Transistor im preisgünstigen Plastikgehäuse. Er hat eine sehr große Verstärkung von 24 dB und kann mit 28V oder 50V betrieben werden.

Bei 28V Betriebsspannung liefert er 10 Watt Ausgangsleistung und bei 50 V Betriebsspannung 20 Watt.

Einsetzbar im Frequenzbereich DC-3 GHz.

  • L-Band 350W

Der ES/EGN350H-R ist ein sehr kleiner unangepasster 350 W Transistor für das Frequenzband UHF- 1.4 GHz. Er hat 14 dB Verstärkung und einen Wirkungsgrad von >70%. Der ES/EGN350H-R ist für schmale Pulsanwendungen von typ. 120µs für DME, TACAN und IFF Anwendungen geeignet.

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