GaN HEMTS für Basisstationen

SUMITOMO hat neue, breitbandige GaN HEMT Transistoren entwickelt, die F-Serie, für den Einsatz in 3G, LTE und WIMAX Basisstationen. Die Bauteile können entweder als Treiberstufen in MacroCell Verstärkern, oder als Endstufen in MicroCell Verstärkern eingesetzt werden. Konzipiert sind sie für Anwendungen von DC-3700 MHz.

Die GaN HEMTs gibt es in zwei Ausführungsformen, als Single Chip Device und als Twin Chip Device. Das Single Chip Bauteil besteht aus einem einzelnen 15, 20 oder 30 Watt GaN Chip. Die Twin Chip Ausführung besteht aus zwei internen, parallel angeordneten Verstärker Chips, welche dann extern zusammengeschaltet werden und so 20, 30 oder 40 Watt liefern können.

Die GaN HEMTs haben 19 dB Verstärkung und bis zu 65 % Wirkungsgrad. Die Bauteile sind in einem SMT Gehäuse untergebracht und werden mit 50 V Spannung betrieben.               

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